TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

KHOÁ LUẬN TỐT NGHIỆP
NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG, ĐIỆN CỦA SnO2 ĐỒNG PHA TẠP Al
VÀ N NỒNG ĐỘ CAO THÔNG QUA SỬ DỤNG PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ (DFT)

GVHD:

TS. LÊ TRẤN, NCS. BÙI QUỐC VIỆT

SVTH:

PHẠM NGỌC HOÀNG

MSSV:

16130032

Khoá:

2016

TP Hồ Chí Minh tháng 8 năm 2020

KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG

CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

Độc lập – Tự do – Hạnh phúc

*******

NHIỆM VỤ KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP
Giáo viên hướng dẫn: TS. Lê Trấn, NCS. Bùi Quốc Việt
Cơ quan công tác của GV hướng dẫn: Trường Đại học Khoa học tự nhiên TP Hồ
Chí Minh, Trường Đại học Sungkyunkwan Hàn Quốc
Sinh viên thực hiện: Phạm Ngọc Hoàng

MSSV: 16130023

1. Tên đề tài:
Nghiên cứu tính chất quang, điện của SnO2 đồng pha tạp Al và N nồng độ
cao thông qua sử dụng phiếm hàm mật độ (DFT)
2. Nội dung chính của khóa luận:
Chương 1: Tổng quan về vật liệu SnO2
-

Tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước, cấu trúc và ứng dụng SnO2

Chương 2: Phương pháp nghiên cứu
-

Giới thiệu về lý thuyết phiếm hàm mật độ, hàm tương quan – trao đổi

Chương 3: Kết quả và biện luận
- Tính toán cấu trúc, tính chất điện – quang dựa trên lý thuyết phiếm hàm mật độ
- Nhận xét, đánh giá và giải thích các tính chất dựa trên kết quả tính toán mô
phỏng.
3. Các sản phẩm dự kiến:

- Bài báo cáo
- Bảng số liệu
4. Ngày giao đồ án: 15 – 01 – 2020
5. Ngày nộp đồ án: 19 – 08 – 2020
6. Ngôn ngữ trình bày: Bản báo cáo:

Tiếng Anh  Tiếng Việt 

Trình bày bảo vệ: Tiếng Anh  Tiếng Việt 

TRƯỞNG BỘ MÔN
(Ký, ghi rõ họ tên)

GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN
(Ký, ghi rõ họ tên)

KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG

CỘNG HÒA XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

Độc lập – Tự do – Hạnh phúc

NHẬN XÉT CỦA GIÁO VIÊN HƯỚNG DẪN
Họ và tên Sinh viên: Phạm Ngọc Hoàng
Ngành: Công nghệ vật liệu

MSSV: 16130023

Tên đề tài: Nghiên cứu tính chất quang, điện của SnO2 đồng pha tạp Al và N nồng
độ cao thông qua sử dụng phiếm hàm mật độ (DFT)
Họ và tên giáo viên hướng dẫn 1: TS. Lê Trấn
Cơ quan công tác của giáo viên hướng dẫn 1: Trường Đại học Khoa học tự nhiên TP Hồ
Chí Minh
Địa chỉ: 227, Nguyễn Văn Cừ, Phường 4, Quận 5, Thành phố Hồ Chí Minh
Họ và tên giáo viên hướng dẫn 2: NCS. Bùi Quốc Việt
Cơ quan công tác của giáo viên hướng dẫn 2: Trường Đại học Sungkyunkwan Hàn Quốc
Địa chỉ: 25-2 Sungkyunkwan-ro, Myeongnyun 3(sam)ga-dong, Jongno-gu, Seoul, Hàn
Quốc
NHẬN XÉT
1.Về nội dung đề tài và khối lượng thực hiện:
-
...

...
T., H.P. Dang, and Q.H. Luc, A study of structural, electrical, and optical properties of p-type
Zn-doped SnO2 films versus deposition and annealing temperature. Journal of Physics D:
Applied Physics, 2017. 50(14): p. 145102.

14.

Lee, P.-M., et al., Experimental observation and computer simulation of Al/Sn substitution in ptype aluminum nitride-doped tin oxide thin film. The Journal of Physical Chemistry C, 2016.
120(8): p. 4211-4218.

49

15.

McAleer, J., et al., Tin oxide based gas sensors. Materials chemistry and physics, 1987. 17(6): p.
577-583.

16.

Moharrami, F., M.-M. Bagheri-Mohagheghi, and H. Azimi-Juybari, Study of structural, electrical,
optical, thermoelectric and photoconductive properties of S and Al co-doped SnO2
semiconductor thin films prepared by spray pyrolysis. Thin Solid Films, 2012. 520(21): p. 65036509.

17.

Ravichandran, K. and K. Thirumurugan, Type inversion and certain physical properties of spray
pyrolysed SnO2: Al films for novel transparent electronics applications. Journal of Materials
Science &amp Technology, 2014. 30(2): p. 97-102.

18.

Rickerby, D.G. and A.M. Serventi, Nanostructured Metal Oxide Gas Sensors for Air-Quality
Monitoring, in Environanotechnology. 2010, Elsevier. p. 99-136.

19.

Sato, H., et al., Transparent conducting p-type NiO thin films prepared by magnetron sputtering.
Thin solid films, 1993. 236(1-2): p. 27-31.

20.

Sholl, D. and J.A. Steckel, Density functional theory: a practical introduction. 2011: John Wiley
&amp Sons.

21.

Sun, X., et al., Structural, electronic, and optical properties of N-doped SnO2. 2008. 112(26): p.
9861-9864.

22.

Tsay, C.-Y. and S.-C. Liang, Fabrication of p-type conductivity in SnO2 thin films through Ga
doping. Journal of Alloys and Compounds, 2015. 622: p. 644-650.

23.

Xiao, W.-Z., G. Xiao, and L.-L.J.T.J.o.C.P. Wang, A first-principles study of the SnO2 monolayer
with hexagonal structure. 2016. 145(17): p. 174702.

24.

Xiu, F., et al., p-type ZnO films with solid-source phosphorus doping by molecular-beam epitaxy.
Applied Physics Letters, 2006. 88(5): p. 052106.

25.

Yang, T., et al., Sb doping behavior and its effect on crystal structure, conductivity and
photoluminescence of ZnO film in depositing and annealing processes. Journal of alloys and
compounds, 2011. 509(17): p. 5426-5430.

26.

Zhang, B., et al., The structural and electrical studies on the Boron-doped SnO2 films deposited
by spray pyrolysis. Vacuum, 2011. 85(11): p. 986-989.

50