TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP

NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO GRAPHENE
SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG HƠI HÓA HỌC
ỨNG DỤNG TRONG CẢM BIẾN NHẠY KHÍ

GVHD: ThS. HUỲNH HOÀNG TRUNG
SVTH: PHAN VĂN HOÀNG
MSSV: 19130020
SVTH: NGUYỄN LONG VŨ
MSSV: 19130059
KHÓA: 2019

Thành phố Hồ Chí Minh, tháng 9 năm 2023

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HCM

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BM CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

Độc lập - Tự do – Hạnh phúc

Tp. Hồ Chí Minh, ngày 27 tháng 02 năm 2023

NHIỆM VỤ KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP
Giảng viên hướng dẫn: ThS. Huỳnh Hoàng Trung
Cơ quan công tác của GV hướng dẫn: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. HCM
Sinh viên thực hiện: Phan Văn Hoàng MSSV: 19130020
Nguyễn Long Vũ MSSV: 19130059
1. Tên đề tài:
Nghiên cứu chế tạo graphene sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học ứng dụng trong
cảm biến nhạy khí.
2. Nội dung chính của khóa luận:
- Sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học CVD để chế tạo graphene trên đế đồng.
- Chuyển graphene từ đế đồng sang đế SiO2/Si.
- Khảo sát graphene bằng các phương pháp đo kiểm: Kính hiển vi quang học (OM), kính
hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ Raman,…
- Chế tạo và thử nghiệm cảm biến nhạy khí NO2.
3. Các sản phẩm dự kiến:
- Graphene chế tạo bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học.
- Cảm biến nhạy khí.
4. Ngày giao đồ án: 28/02/2023
5. Ngày nộp đồ án: 25/08/2023
6. Ngôn ngữ trình bày:

Bản báo cáo:

Tiếng Anh 

Tiếng Việt



Trình bày bảo vệ:

Tiếng Anh 

Tiếng Việt



TRƯỞNG BỘ MÔN

GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN
ThS. Huỳnh Hoàng Trung

ii

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HCM

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BM CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

Độc lập - Tự do – Hạnh phúc

NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN
Sinh viên thực hiện: Phan Văn Hoàng MSSV: 19130020
Nguyễn Long Vũ MSSV: 19130059
Tên đề tài: Nghiên cứu chế tạo graphene sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học
ứng dụng trong cảm biến nhạy khí.
Họ và tên GV hướng dẫn: ThS. Huỳnh Hoàng Trung
Cơ quan công tác của GV hướng dẫn: Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh.
Địa chỉ: Số 01 Võ Văn Ngân, phường Linh Chiểu, TP. Thủ Đức, TP. Hồ Chí Minh.
NHẬN XÉT
1. Về nội dung đề tài và khối lượng thực hiện:
Sinh viên thực hiện khối lượng công việc lớn:
- Chế tạo thành công graphene từ 1 - 3 lớp nguyên tử phủ đồng đều trên đế đồng sử dụng
phương pháp CVD áp suất thấp.
- Khảo sát sự thay đổi thời gian phản ứng hóa học hình thành
...

...
i: 10.1007/s12274-020-2671-6.
[55] Q. H. Wang, Z. Jin, K. K. Kim, A. J. Hilmer, G. L. C. Paulus, C. Shih, M. Ham, J. D.
Sanchez-Yamagishi, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. Kong, P. Jarillo-Herrero, and M. S.
Strano, “Understanding and controlling the substrate effect on graphene electron-transfer
chemistry via reactivity imprint lithography,” Nature Chemistry, vol. 4, no. 9, pp. 724–
732, Aug. 2012, doi:10.1038/nchem.1421.
[56] M. Wang, E. H. Yang, R. Vajtai, J. Kono, and P. M. Ajayan, “Effects of etchants in
the transfer of chemical vapor deposited graphene,” J. Appl. Phys., vol. 123, no. 19, pp.
195103, May. 2018, doi: 10.1063/1.5009253.
[57] A. C. Ferrari, and D. M. Basko, “Raman spectroscopy as a versatile tool for studying
the properties of graphene,” Nature nanotechnology, vol. 8, no. 4, pp. 235-246, Apr. 2013,
https://doi.org/10.1038/nnano.2013.46.
[58] L. P. Ma, W. Ren, and H. M. Cheng, “Transfer Methods of Graphene from Metal
Substrates: A Review,” Small Methods, vol. 3, no. 7, pp. 1–13, Apr. 2019,
doi:10.1002/smtd.201900049.
[59] M. Wang, E. H. Yang, R. Vajtai, J. Kono, and P. M. Ajayan, “Effects of etchants in
the transfer of chemical vapor deposited graphene,” Journal of Applied Physics, vol. 123,
no. 19, May. 2018, https://doi.org/10.1063/1.5009253.
[60] D. Kuten, B. Nowacka, M. Pełka, D. Gnatek, M. Klimek, T. Nazim, K. Sądowska, A.
Wietecka, and M. Gałązka, “Towards clean HSMG® graphene transfer,” Materials
Chemistry and Physics, vol. 251, no. 1, pp. 123161, Sep. 2020,
https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2020.123161.
[61] L. A. Belyaeva, W. Fu, H. Arjmandi-Tash, and G. F. Schneider, “Molecular caging of
graphene with cyclohexane: Transfer and electrical transport,” ACS Central Science, vol.
2, no. 12, pp. 904–909, Nov. 2016, doi:10.1021/acscentsci.6b00236.
[62] Jo, Seong Soon, “Chemical Vapor Deposition (CVD) Growth and Optimal Transfer
Processes for Graphene,”
Massachusetts Institute of Technology, 2018,
http://hdl.handle.net/1721.1/115603.
[63] K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V.
Grigorieva, S. V. Dubonos, &amp A. A. Firsov, “Two-dimensional gas of massless Dirac
fermions in graphene,” Nature, vol. 438, no. 7065, pp. 197–200, Nov 2005,
https://doi.org/10.1038/nature04233.
[64] X. Yan et al., “High-Performance UV-Assisted NO2 Sensor Based on Chemical
Vapor Deposition Graphene at Room Temperature,” ACS Omega, vol. 4, no. 10, pp.
14179–14187, 2019, doi: 10.1021/acsomega.9b00935.

61