Đồ án tốt nghiệp - Nghiên cứu chế tạo Graphene sử dụng phương pháp lắng đọng HHHỨDTCBNK : ĐÁTNNCNVL

Tên môn học: Khóa luận tốt nghiệp

Giá: 86.000đ

Tổng thanh toán:

86.000đ

Người đăng tải:

#10377

Chi tiết tài liệu :

Đồ án tốt nghiệp ngành Công nghệ vật liệu - Nghiên cứu chế tạo Graphene sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học ứng dụng trong cảm biến nhạy khí : Đồ án tốt nghiệp ngành Công nghệ vật liệu - Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh (HCMUTE)

Định dạng	PDF
Dung lượng	5.83 MB
Số trang	75
Ngành	Công nghệ vật liệu

Lượt xem	1
Ngày đăng	06/02/2026

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO GRAPHENE SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP
LẮNG ĐỌNG HƠI HÓA HỌC ỨNG DỤNG TRONG CẢM BIẾN
NHẠY KHÍ

GVHD: ThS. HUỲNH HOÀNG TRUNG
SVTH: NGUYỄN ĐÌNH KHẢI
MSSV: 18130022
SVTH: LÊ VŨ TRUNG
MSSV: 18130047
KHÓA: 2018

TP. HỒ CHÍ MINH, tháng 9 năm 2022

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BỘ MÔN CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP
NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO GRAPHENE SỬ DỤNG PHƯƠNG PHÁP
LẮNG ĐỌNG HƠI HÓA HỌC ỨNG DỤNG TRONG CẢM BIẾN
NHẠY KHÍ

GVHD: ThS. HUỲNH HOÀNG TRUNG
SVTH: NGUYỄN ĐÌNH KHẢI
MSSV: 18130022
SVTH: LÊ VŨ TRUNG
MSSV: 18130047
KHÓA: 2018

TP. HỒ CHÍ MINH, tháng 9 năm 2022

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HCM

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BM CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

Độc lập - Tự do – Hạnh phúc

Tp. Hồ Chí Minh, ngày … tháng … năm 2022

NHIỆM VỤ KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP
Giảng viên hướng dẫn: ThS. Huỳnh Hoàng Trung
Cơ quan công tác của GV hướng dẫn: Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. HCM
Sinh viên thực hiện: Nguyễn Đình Khải
MSSV: 18130022
Lê Vũ Trung
MSSV: 18130047
1. Tên đề tài:
Nghiên cứu chế tạo graphene sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học ứng dụng
trong cảm biến nhạy khí
2. Nội dung chính của khóa luận:
- Sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) để chế tạo graphene trên đế đồng.
- Chuyển graphene từ đế đồng sang đế Si/SiO2 cách điện.
- Khảo sát graphene bằng các phương pháp đo kiểm: Kính hiển vi quang học (OM),
kính hiển vi điện tử quét (SEM), quang phổ Raman, …
- Cảm biến nhạy khí.
3. Các sản phẩm dự kiến
- Graphene chế tạo bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học
- Cảm biến nhạy khí
4. Ngày giao đồ án: 25/02/2022
5. Ngày nộp đồ án: 25/08/2022
6. Ngôn ngữ trình bày: Bản báo cáo:
Tiếng Anh

Tiếng Việt 
Trình bày bảo vệ:
Tiếng Anh

Tiếng Việt 
GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN

TRƯỞNG BỘ MÔN
(Ký, ghi rõ họ tên)

(Ký, ghi rõ họ tên)

i

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HCM

CỘNG HOÀ XÃ HỘI CHỦ NGHĨA VIỆT NAM

KHOA KHOA HỌC ỨNG DỤNG
BM CÔNG NGHỆ VẬT LIỆU

Độc lập - Tự do – Hạnh phúc

Tp. Hồ Chí Minh, ngày … tháng … năm 2022

NHẬN XÉT CỦA GIẢNG VIÊN HƯỚNG DẪN
Sinh viên thực hiện: Nguyễn Đình Khải
MSSV: 18130022
Lê Vũ Trung
MSSV: 18130047
Ngành: Công nghệ vật liệu
Tên đề tài: Nghiên cứu chế tạo graphene sử dụng phương pháp lắng đọng hơi hóa học
ứng dụng trong cảm biến nhạy khí
Họ và tên Giảng viên hướng dẫn: ThS. Huỳnh Hoàng
...

...
55.
[31] C. Stampfer et al., “Raman imaging of doping domains in graphene on Si O2,” Appl.
Phys. Lett., vol. 91, no. 24, pp. 2005–2008, 2007, doi: 10.1063/1.2816262.
[32] R. Saito, “Raman spectroscopy of graphene edges,” Graphene its Fascin. Attrib., pp.
91–103, 2011, doi: 10.1142/9789814329361_0006.
[33] A. Ben Gouider Trabelsi, F. V. Kusmartsev, A. Kusmartseva, F. H. Alkallas, S. Alfaify,
and M. Shkir, “Raman spectroscopy imaging of exceptional electronic properties in
epitaxial graphene grown on SiC,” Nanomaterials, vol. 10, no. 11, pp. 1–37, 2020, doi:
10.3390/nano10112234.
[34] Y. Y. Wang et al., “Raman studies of monolayer graphene: The substrate effect,” J.
Phys. Chem. C, vol. 112, no. 29, pp. 10637–10640, 2008, doi: 10.1021/jp8008404.
[35] X. Liang et al., “Toward Clean and Crackless Transfer of Grephene,” no. 11, pp. 9144–
9153, 2011.
[36] A. Adetayo and D. Runsewe, “Synthesis and Fabrication of Graphene and Graphene
Oxide: A Review,” Open J. Compos. Mater., vol. 09, no. 02, pp. 207–229, 2019, doi:
10.4236/ojcm.2019.92012.
[37] E. Mohammadikhabaz, B. Lari, and H. Hassanabadi, “Room temperature quantum Hall
effect in q-formalism,” Eur. Phys. J. Plus, vol. 137, no. 6, p. 84173, 2022, doi:
10.1140/epjp/s13360-022-02831-3.
[38] Y. X. Hui, N. An, K. Chen, X. J. Li, W. L. Li, and Z. Y. Ren, “Research on Hall Effect
of Graphene by Var Der Pauw Method,” Adv. Mater. Res., vol. 1120–1121, pp. 383–
387, 2015, doi: 10.4028/www.scientific.net/amr.1120-1121.383.
[39] S. S. Jo, “Chemical Vapor Deposition (CVD) Growth and Optimal Transfer Processes
for
Graphene,”
no.
Cvd,
2018,
[Online].
Available:
57

https://dspace.mit.edu/bitstream/handle/1721.1/115603/1036986150MIT.pdf?sequence=1&ampisAllowed=y
[40] Z. Ni, Y. Wang, T. Yu, and Z. Shen, “Raman spectroscopy and imaging of graphene,”
Nano Res., vol. 1, no. 4, pp. 273–291, 2008, doi: 10.1007/s12274-008-8036-1.
[41] L. P. Ma, W. Ren, and H. M. Cheng, “Transfer Methods of Graphene from Metal
Substrates: A Review,” Small Methods, vol. 3, no. 7, pp. 1–13, 2019, doi:
10.1002/smtd.201900049.
[42] D. Kuten et al., “Towards clean HSMG® graphene transfer,” Mater. Chem. Phys., vol.
251, no. May, 2020, doi: 10.1016/j.matchemphys.2020.123161.
[43] L. A. Belyaeva, W. Fu, H. Arjmandi-Tash, and G. F. Schneider, “Molecular caging of
graphene with cyclohexane: Transfer and electrical transport,” ACS Cent. Sci., vol. 2,
no. 12, pp. 904–909, 2016, doi: 10.1021/acscentsci.6b00236.

58

S

K

L

0

0

2

1

5

4