Lý thuyết (Trắc nghiệm)

TRANSISTOR công suất (BJT)
6. Transistor công suất (BJT) được xem như là một công tắc bán dẫn có khả
năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn vì
thế (D)
a. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh
b. Transistor có cấu trúc xen kẻ (interdigitated structure) của nhiều cực nền và cực
phát
c. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ
d. Các câu a, b, c đều đúng
7. Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor (BJT) công suất
(D)
a. Độ lợi dòng nhỏ còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi
càng nhỏ
b. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ, dòng thu càng lớn độ lợi
càng lớn
c. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ
cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn
d. Các câu a và c thì đúng
8. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) dẫn bảo hoà sẽ là (A)

9. Công suất thất thoát khi Transistor công suất (BJT) ngưng dẫn và dòng rỉ
rất bé công thức nào sau đây là chính xác nhất (B)

10. Năng lượng thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao
hoán là (B)

11. Công suất thất thoát tổng cộng của Transistor công suất (BJT) khi giao hoán
là (C)

42. Transistor công suất thường được sử dụng trong các mạch (a)
a. Như các công tắc đóng ngắt các mạch điện
b. Mạch công suất lớn
c. Mạch chịu nhiệt độ cao
d. Mạch công suất có tần số cao

MOSFET công suất
12. Phát biểu nào sau đây đúng cho cấu trúc của mosfet công suất (B)
a. Có cấu trúc xen kẻ của các tiếp giáp np để cấp dòng lớn
b. Có cấu trúc kênh dẫn theo hình chữ V nên còn gọi là Vmosfet để cấp dòng lớn
c. Có diện tích tiếp xúc của vùng hiếm nhỏ để cấp dòng lớn
d. Các câu a, b, c đều đúng
13. Phát biểu nào sau đây đúng cho đặc tính của mosfet công suất (D)
a. Điện trở giửa cực D và S khi dẫn nhỏ (vài chục Ωm )
b. Tổng trở vào rất lớn, điện thế cực đại VGS cở vài chục volt
c. Thời gian đáp ứng trên dãy nhiệt độ rộng, thời gian giao hoán nhanh (

100kHz)
d. Tất cả các câu a, b, c đều đúng
14. Phát biểu nào sau đây đúng về sự khác biệt của mosfet so với BJT công suất
(C)
a. Tần số làm việc thấp so với BJT công suất
b. Đáp ứng tần số nhỏ hơn BJT công suất
c. Đặc tuyến có trị số tới hạn tối đa, không có hiện tượng huỷ thác thứ cấp so với
BJT công suất
d. Thực hiện mạch thúc khó hơn BJT công suất
15. Công suất tổn hao của mosfet công suất khi dẫn sẽ là (B)

16. Công suất tổn hao của mosfet công suất ngưng dẫn sẽ là (D)

1
...

...
Mở tải

b. Tắt SCR.

c. Tăng dòng điện chảy qua SCR.

d. Không có ảnh hưởng gì.

65. Trong mạch SCR điều khiển pha toàn kỳ khi góc kích tăng từ 0 lên 900 thì
điện áp chỉnh lưu trung bình trên tải sẽ (d):
a. Không đổi

b. Tăng rất ít.

c. Giảm rất ít.

d. Giảm xuống zero.

67. SCR sẽ bị đánh thủng khi (d):
a. Dòng kích cực cổng cực đại.
b. Điện áp đặt trên anode-cathode là âm.
c. Điện áp đặt trên anode-cathode là dương.
d. Điện áp đặt trên anode-cathode là âm hơn giá trị điện áp ngược cực đại.

TỔNG HỢP LINH KIỆN BÁN DẪN
34. Linh kiện công suất là linh kiện có:(d)
a. Có hình dạng và kích thước lớn
b. Dễ ghép với nhôm tản nhiệt.
c. Làm việc với dòng lớn, áp lớn
d. Cả a, b, c
35. Mạch điều khiển công suất cần làm việc với điện áp lớn cần sử dụng.(a)

a. SCR

b. FET

c. Diode

d. Cả a, b, c đều đúng.

29. Trong các linh kiện sau đây loại nào không phải là linh kiện công suất. (c)
a. BJT

b. TRIAC

c. UJT

d. JFET

41. Trong các loại linh kiện sau đây loại nào không phải là loại công suất (a)
a. UJT

b. BJT

c. JFET

d. MOSFET

30. Trong các linh kiện sau đây loại nào không có khả năng điều khiển công
suất.(d)
a. MOSFET

b. TRIAC

c. THYIRSTOR

d. DIAC

38. Diode công suất ở trạng thái dẫn có điện áp VAK là: (c)
a. 0,2 V

c. 0,6 V

b. 0,3 V

d. Lớn hơn 0,8 V

44. Các phần tử bán dẫn công suất sử dụng trong các mạch công suất có đặc
tính chung là (c):
a. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương lớn, khi khóa thì điện trở
tương đương nhỏ.
b. Khi mở cho dòng chảy qua hay khi khóa thì điện trở tương đương không thay
đổi.
c. Khi mở cho dòng chảy qua thì có điện trở tương đương nhỏ, khi khóa thì điện
trở tương đương lớn
d. Tất cả đều sai.
45. Dòng điện rò (d):
a. Có giá trị rất nhỏ, vài µA.
b. Có giá trị nhỏ, vài mA.
c. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực thuận, có giá trị nhỏ, vài A.
d. Là dòng điện chảy qua phần tử khi phần tử phân cực nghịch, có giá trị nhỏ, vài
mA.
46. Diode là phần tử bán dẫn công suất cấu tạo bởi (a):

a. 1 lớp tiếp giáp p-n
b. 3 lớp tiếp giáp p-n
c. 2 lớp tiếp giáp p-n
d. 5 lớp tiếp giáp p-n
47. Điện trường nội Ei trong diode (b):
a. Có chiều hướng từ vùng p sang vùng n.
b. Có chiều hướng từ vùng n sang vùng p.
c. Có chiều phụ thuộc vào phân cực thuận hay phân cực nghịch.
d. Tất cả đều sai.
48. Diode dẫn dòng điện từ anode sang cathode khi (b):
a. Phân cực ngược.
b. Phân cực thuận.
c. Điện trở tương đương của diode lớn.
d. Cực dương của nguồn nối với cathode, cực âm của nguồn nối với anode.