TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT ĐỀ THI CUỐI KỲ HỌC KỲ II NĂM HỌC 2023-2024
THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
-
Môn: Mạch điện tử 1
Mã môn học: ELEC230262
Đề số/Mã đề: 01
Đề thi có 6 trang.
Thời gian: 75 phút.
Được phép sử dụng 1 tờ giấy A3 (hoặc 2 tờ A4) chép tay
PHẦN I: TRẮC NGHIỆM (3 điểm )
Câu 1: Dòng điện trong chất bán dẫn là dòng tham gia của:
a. Các điện tử (electron) tự do.
b. Các lỗ trống (hole).
c. Các ion âm.
d. Các điện tử tự do và lỗ trống.
Câu 2: Tại nhiệt độ phòng, lỗ trống trong chất bán dẫn tạp chất dạng n là:
a. Hạt tải thiểu số được tạo ra từ nhiêt độ.
b. Hạt tải thiểu số mà được tạo ra từ nguyên
c. Hạt tải đa số được tạo ra từ nhiệt độ.
d. Hạt tải đa số mà được tạo ra từ nguyên tố tạp
chất.
tố tạp chất.
Câu 3: Vùng nghèo (tiếp xúc) trong chuyển tiếp p-n gồm
a. Các hạt tải thiểu số
b. Các hạt tải đa số
c.
Chỉ có ion dương và âm
d.
Tất cả đều đúng
Câu 4: Trong mạch hình 1, đây là mạch:
a. Mạch xén
Hình 1
D1
b. Mạch kẹp
T1
c. Chỉnh lưu bán kỳ
d. Mạch chỉnh lưu toàn kỳ
RL
220Vrms
330Ω
5:1
D2
Câu 5: Trong mạch hình 1 với D1 và D2 là loại Si, thì điện áp ra trung bình trên RL (VODC) là
a. 19.4V
b. 13.6V
c. 38.8V
d. 27.6V
Câu 6: Trong mạch hình 1, dòng trung bình qua mỗi diode là
a. 58.8mA
b. 29.4mA
c. 41.2mA
d. 20.6mA
Câu 7: Cho mạch như hình 2 biết diode trong mạch là loại Si, điên áp cung cấp cho tải (load) là bao
nhiêu ?
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020
Trang: 1/6
Hình 2
a. 15V
D1
b. 14.3V
15V
SOURCE
c. 12V
d. 11.3V
LOAD
D2
V1
12V
Câu 8: Trong BJT loại pnp, thì để transistor dẫn ở vùng khuếch đại thì các chuyển tiếp:
a. BE phải được phân cực thuận và BC phải bị
phân cực nghịch
b. BE phải bị phân cực nghịch và mối nối BC
c. BE và BC phải bị phân cực nghịch
d. BE và BC phải được phân cực thuận
phải được phân cực thuận
Câu 9: Để một E-MOSFET kênh n dẫn điện thì điện áp V GS phải:
a. Nhỏ hơn Vth (threshold voltage)
b. Lớn hơn Vth (threshold voltage)
c. Nhỏ hơn Vp
d. Lớn hơn Vp
Câu 10: Trong hình 3, ký hiệu nào là của Diac
Hình 3
a. D1
D1
b. D2
D2
D3
D4
c. D3
d. D4
Câu 11: BJT loại npn, khi hoạt động tại vùng khuếch đại thì:
a.
???? =0 và ????
b.
???? =????
=????
và ????
≅0
c.
???? = ???????? và 0 ????
d.
???? = ???????? và 0 ????
????
Câu 12: Cho mạch như hình 4, hãy cho biết V1 tối thiểu bằng bao nhiêu để mạch ổn áp?
Hình 4
R1
a. 3.3V
b. 3.96V
200Ω
+
c. 6.6V
V1
d. Tất cả đều sai
D1
3V3
Vo
-
Câu 13: SCR không thể tắt bằng phương pháp
...
...
a mạch.
Hình 8:
10V
RD
3kΩ
C2
+
1µF
C1
Q1
Vi
V2
1mVpk
1kHz
0°
1µF
RG
1MΩ
RS
1kΩ
C3
47µF
Vo
RL
3kΩ
-
Câu 23 (3đ): Cho mạch khuếch đại như hình 9. Biết rằng, transistor Q1 có β 1=150
a. Tìm điểm làm việc tĩnh Q của transistor Q1.
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020
Trang: 4/6
b. Viết phương trình đường tải ACLL và tim maxswing(vop).
c. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ và tính Zi, Zo, AVS.
d. Vẽ sóng điện áp tại cực C của Q1 và Vo, nếu V1=0.2sin2000πt(V).
e. Hãy tính lại R1 để điểm làm việc Q của transistor Q1 nằm chính giữa đường tải ACLL.
Hình 9
VCC
12V
R1
33kΩ
R6
C2
1kΩ
V1
0.2Vpk
1kHz
0°
1µF
R3
5.1kΩ
C1
+
1µF
Q1
Vo
R2
4.7kΩ
R4
1kΩ
RL
3kΩ
C3
47µF
-
=======================================================
Ghi chú: CBCT không giải thích đề thi. Bỏ 1 đề thi vào túi đựng bài thi
Bảng 1
Chuẩn đầu ra của học phần (về kiến thức)
Nội dung kiểm tra
[CLO1]: Khả năng giải thích được cấu trúc và nguyên lý hoạt động của
Câu 1, 2, 3, 8, 9, 10, 11,
các linh kiện bán dẫn.
[CLO1]: Phân tích các thông số cơ bản của mạch điện tử đơn giản.
13,
Câu 4, 5, 6, 7, 12, 14, 15,
16, 17, 18, 19, 21, 22, 23
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020
Trang: 5/6
[CLO2]: Đọc được các thông số cơ bản của linh kiện bán dẫn trong
Câu 20
datasheet.
Ngày 31 tháng 5 năm 2024
Thông qua Trưởng Bộ môn
(ký và ghi rõ họ tên)
Số hiệu: BM1/QT-PĐT-RĐTV/02 Lần soát xét: 02 Ngày hiệu lực: 15/5/2020
Trang: 6/6
