Đồ án tốt nghiệp - Thiết kế và tối ưu bộ nhớ TCAM theo công nghệ 90NM

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP
NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT MÁY TÍNH

THIẾT KẾ VÀ TỐI ƯU BỘ NHỚ TCAM THEO
CÔNG NGHỆ 90NM

SVTH:

ĐINH KIM HOÀNG
MSSV: 20119340
CHÂU QUANG KHÁNH
MSSV: 20119349

GVHD: PGS.TS. TRƯƠNG NGỌC SƠN

TP. HỒ CHÍ MINH – 01/2025

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

THIẾT KẾ VÀ TỐI ƯU BỘ NHỚ TCAM THEO
CÔNG NGHỆ 90NM
NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT MÁY TÍNH

SVTH:

ĐINH KIM HOÀNG
MSSV: 20119340
CHÂU QUANG KHÁNH
MSSV: 20119349

GVHD: PGS.TS. TRƯƠNG NGỌC SƠN

TP. HỒ CHÍ MINH – 01/2025

I

II

LỜI CẢM ƠN
Nhóm thực hiện đề tài xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến PGS.TS. Trương Ngọc
Sơn, người đã tận tình hướng dẫn và chia sẻ những ý kiến quý báu trong suốt quá
trình nghiên cứu. Sự chỉ dẫn tận tâm của thầy không chỉ giúp nhóm hoàn thiện đồ
án mà còn mở rộng thêm kiến thức và kỹ năng trong lĩnh vực thiết kế vi mạch.
Nhóm thực hiện đề tài cũng xin gửi lời cảm ơn chân thành đến Khoa Điện –
Điện tử, Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật TP. Hồ Chí Minh đã tạo mọi điều kiện
thuận lợi và cung cấp các nguồn lực cần thiết để nhóm có thể hoàn thành tốt quá
trình thực hiện đề tài.
Đồng thời, nhóm xin tri ân quý thầy cô đã tận tình giảng dạy trong suốt những
năm học qua, giúp nhóm có được nền tảng vững chắc để bước vào con đường
nghiên cứu khoa học.
Cuối cùng, xin gửi lời cảm ơn sâu sắc đến gia đình và bạn bè, những người
đã luôn đồng hành, động viên và tiếp thêm động lực giúp nhóm vượt qua mọi khó
khăn trong quá trình thực hiện đồ án.
Nhóm xin trân trọng cảm ơn!

TP. Hồ Chí Minh, tháng 1 năm 2025

Sinh viên thực hiện chân thành cám ơn!
Đinh Kim Hoàng-2011940
Châu Quang Khánh-20119349

III

LỜI CAM ĐOAN
Nhóm sinh viên Đinh Kim Hoàn và Châu Quang Khánh thực hiện đề tài ‘Thiết kế
và tối ưu bộ nhớ TCAM theo công nghệ 90nm’dưới dự hướng dẫn của thầy Trương
Ngọc Sơn xin cam đoan các nội dung như sau:
1. Sản phẩm của Đồ án tốt nghiệp là do nhóm sinh viên Đinh Kim Hoàn và Châu
Quang Khánh thực hiện, không mượn, thuê, mua từ người khác.
2. Quyển báo cáo Đồ án tốt nghiệp là do nhóm sinh viên Đinh Kim Hoàn và Châu
Quang Khánh tự viết, tỉ lệ trùng lặp là 21%, các nội dung tham khảo đã được trích
dẫn đầy đủ
3. Kết quả thực hiện trong quyển báo cáo bao gồm hình ảnh, độ chính xác của mô
hình là hoàn toàn đúng với mô hình, phần cứng nhóm đã thực hiện.
Nhóm sinh viên cam đoan các nội dung trên là hoàn toàn chính xác và chịu trách
nhiệm hoàn toàn với những cam đoan
...

...
ON, Canada, 2004.
[12] ‘Low-Power High-Performance Ternary Content Addressable Memory
Circuits’by Nitin Mohan A thesis presented to the University of Waterloo in the
fulfillment of the thesis requirement for the degree of Doctor of Philosophy in
Electrical and Computer Engineering Waterloo, Ontario, Canada, 2006
[13] R., S., Deshpande, N.T. and Aswatha, A.R. (2009) ‘Design and Analysis of a
New Loadless 4T SRAM Cell in Deep Submicron CMOS Technologies,’in 2009
Second International Conference on Emerging Trends in Engineering &amp
Technology. IEEE, pp. 155–161.
[14] Gaadhe, A., Shirode, U. and Kanphade, R. (2021) ‘The Stability Performance
Analysis

of

SRAM

Cell

Topologies

in

90nm

and

130nm

CMOS

technology,’in 2021 International Conference on Emerging Smart Computing and
Informatics (ESCI). IEEE, pp. 733–736.
[15] TCAM IP solution (no date) Renesas. Available at:
https://s.net.vn/1tv9(Accessed: November 25, 2024).
[16] Synopsys.com. Available at:
https://www.synopsys.com/designware-ip/technical-bulletin/introduction-totcam.html. (Accessed: November 25, 2024).
[17] Ngô Xuân Danh và Hoàng Tấn Đạt. (2022). ’Thiết kế, mô phỏng và layout bộ
nhớ SRAM 64 bit’. Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Thành phố Hồ Chí Minh.

78

[18] Neil H. E. Weste, David Money Harris, ‘CMOS VLSI Design A Circuits and
Systems Perspective’, xuất bản lần thứ 4, Macquarie University and The
University of Adelaide, Harvey Mudd College
[19] Nguyễn Thành Trung và Ngô Minh Nhật. (2024). ’Thiết kế và mô phỏng bộ
nhớ SRAM 32×32 theo công nghệ 90NM’. Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật
Thành phố Hồ Chí Minh.
[20] Mohan, N. et al. (2006) ‘Design techniques and test methodology for lowpower TCAMs,’IEEE transactions on very large scale integration (VLSI) systems,
14(6), pp. 573–586.
[21] Debasis Mukherjee, Hemanta Kr. Mondal và cộng sự, ‘Static Noise Margin
Analysis of SRAM Cell for High Speed Application’, IJCSI International Journal
of Computer Science Issues, Tập 7, Số 5, 09/2010.
[22] Tadashi, K., &amp Nakahara, T. (2016). ‘Design and Optimization of High-Speed
TCAM with NOR and NAND Logic for Efficient Searching’. Journal of
Semiconductor Technology and Science, 16(2), 112-119
[23] Reiham. O. Ibrahim, S. M. Abd El-Azeem, S. M. El-Ghanam, F. A. S.
Soliman, ‘Temperature Effects on the Electrical Characteristics of BJTs and
MOSFETs’, 2019.
[24] Pankaj Prajapati, Dr. Shyam Akashe, ‘Effect of changes in supply voltage on
power consumption of digital CMOS lines’, 2016.

79