TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN KỸ THUẬT MÁY TÍNH - VIỄN THÔNG

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

THIẾT KẾ VÀ ĐÁNH GIÁ BỘ NHỚ SRAM 8T
CỔNG KÉP 1024 BIT
NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT MÁY TÍNH
Sinh viên: NGUYỄN MINH DANH
MSSV: 20119328
HOÀNG HỮU CHÁNH
MSSV: 20119325
Giảng viên hướng dẫn: ThS. LÊ MINH THÀNH

TP. HỒ CHÍ MINH – 12/2024

TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT TP. HỒ CHÍ MINH
KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN KỸ THUẬT MÁY TÍNH - VIỄN THÔNG

ĐỒ ÁN TỐT NGHIỆP

THIẾT KẾ VÀ ĐÁNH GIÁ BỘ NHỚ SRAM 8T
CỔNG KÉP 1024 BIT
NGÀNH CÔNG NGHỆ KỸ THUẬT MÁY TÍNH
Sinh viên: NGUYỄN MINH DANH
MSSV: 20119328
HOÀNG HỮU CHÁNH
MSSV: 20119325
Giảng viên hướng dẫn: ThS. LÊ MINH THÀNH

TP. HỒ CHÍ MINH – 12/2024

LỜI CẢM ƠN
Nhóm xin gửi lời cảm ơn chân thành đến thầy Lê Minh Thành – giảng viên hướng
dẫn, người đã luôn tận tình hỗ trợ và đồng hành cùng nhóm trong suốt quá trình thực
hiện đồ án. Từ khâu lựa chọn đề tài, triển khai nội dung cho đến hoàn thiện, thầy đã
đưa ra những chỉ dẫn quý báu và góp ý cụ thể để nhóm có thể khắc phục những khó
khăn và hoàn thiện bài làm tốt nhất có thể.
Nhóm cũng xin bày tỏ lòng biết ơn đến các thầy, cô trong khoa Điện và toàn trường
đã truyền đạt những kiến thức nền tảng, giúp nhóm có đủ cơ sở để thực hiện đồ án này.
Dù đã nỗ lực hết mình, do thời gian hạn chế và còn thiếu kinh nghiệm, đồ án chắc
chắn vẫn còn nhiều điểm thiếu sót. Nhóm rất mong nhận được những ý kiến đóng góp
quý báu từ các thầy, cô để có thể phát triển và hoàn thiện hơn đề tài này trong tương
lai.
Xin chân thành cảm ơn.

TÓM TẮT
Với sự phát triển mạnh mẽ của công nghệ số hóa trong mọi lĩnh vực, ngành vi mạch
bán dẫn đang ngày càng đóng vai trò quan trọng trong việc thúc đẩy tiến bộ kỹ thuật và
ứng dụng trong các hệ thống điện tử. Việc tích hợp các phần tử CMOS với kích thước
siêu nhỏ và hiệu suất cao đang là một trong những mục tiêu trọng yếu mà các nhà
nghiên cứu và kỹ sư hướng tới. Đặc biệt, khi các ứng dụng yêu cầu xử lý dữ liệu khối
lượng lớn hoặc thực hiện nhiều tác vụ đồng thời, yếu tố then chốt để hệ thống hoạt
động hiệu quả là bộ nhớ.
Việc thiết kế tập trung vào việc thiết kế bộ nhớ SRAM 32x32 với công nghệ 90nm, bao
gồm các thành phần cơ bản như: mạch giải mã, mạch đọc và mạch ghi. Trong quá trình
thiết kế, ô nhớ SRAM đóng vai trò cực kỳ quan trọng vì nó không chỉ ảnh hưởng đến
hiệu suất của bộ nhớ mà còn quyết định đến các yếu tố khác như độ trễ, độ bền và công
suất tiêu thụ. Vì vậy, nghiên cứu và phân tích các loại ô nhớ SRAM khác
...

...
hực hiện dựa trên
sự tối ưu về công suất và độ trễ. Cho nên, tùy vào yêu cầu mà có thể lựa chọn những
cấu trúc ô nhớ SRAM đa dạng như cải thiện về diện tích, công suất và các thông số
khác. Bên cạnh đó, từ bộ nhớ trên có thể phát triển lên thành bộ nhớ lưu trữ lớn hơn và
sử dụng các công nghệ nhỏ hơn để thu nhỏ các kích thước CMOS cải thiện đáng kể các
thông số về độ trể lan truyền cũng như công suất của mạch.

65

TÀI LIỆU THAM KHẢO
[1] SamSung, “SamSung công bố tầm nhìn về kỷ nguyên AI và các công nghệ bán dẫn
mới nhất tại SFF 2024”. 18/06/2024
[2] Nguyễn Thanh Yên, “Xu hướng và cơ hội của ngành công nghệ vi mạch bán dẫn”.
Trang TTDTH Bộ Khoa học và Công nghệ. 15/01/2024.
[3] Phạm Văn Khoa, Nguyễn Duy Thông, “Phân tích hiệu năng của các thiết kế SRAM
trên các công nghệ TSMC 90nm CMOS”, Tạp chí Khoa Học và Công Nghệ - Đại Học
Đà Nẵng, VOL.20, NO.1 in 2022.
[4] Shourin Rahman Aura, S.M.Ishraqul Huq, Satayendra N.Biswas, “Design of HighSpeed Dual Port 8T SRAM Cell with Simultaneous and Parallel READ-WRITE
Feature”, Original Scientific Paper in 2022.
[5] M. Yamaoka, Y. Shinozaki, N. Maeda, Y. Shimazaki, K. Kato, S. Shimada, K.
Yanagisawa, K. Osada, “A 300-MHz, 25 μA /Mbitleakage on-chip SRAM module
featuring process-variation immunity and low-leakage-active mode for mobile-phone
application processor”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. 40, No. 1, 2005.
[6] Vasudha Gupta and Mohab Anis, “Statistical Design of the 6T SRAM Bit Cell”,
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, 2010.
[7] D. Mittal, V. K. Tomar, Performance Evaluation of 6T, 7T, 8T, and 9T SRAM cell
Topologies at 90 nm Technology Node, Proceedings of the 11th International
Conference on Computing, Communication and Networking Technologies, Kharagpur,
India, 1-3 July 2020.
[8] TS Geethumol, KS Sreekala và PB Dhanusha, “POWER AND AREA EFFICIENT
10T SRAM WITH IMPROVED READ STABILITY”, ICTACT JOURNAL ON
MICROELECTRONICS, APRL 2017.

66

[9] Onali Verma, Dileep Kumar, “Study and Analysis of Low Power SRAM Memory
Array at nano-scaled Technology”, International Research Journal of Engineering and
Technology (IRJET). Jun 2023.
[10] PGS. TS. Phạm Kim Ngọc, “Overview of semiconductor memory”, laboratory of
innovative Material for Memristors, Tuesday, September 12, 2023.
[11] R. Manoj Kumar and P.V. Sridevi, “Design Of 1kb Sram Array Using Enhanced
Stability 10t Sram Cell For Fpga Based Applications”, ICTACT JOURNAL ON
MICROELECTRONICS, JANUARY 2021.

67