ĐỀ THI MẪU

KHOA ĐIỆN ĐIỆN TỬ
BỘ MÔN CƠ SỞ KỸ THUẬT ĐIỆN TỬ

MẠCH ĐIỆN TỬ 1 (ELEC230262)

ĐỀ THI MẪU
TS. LÊ HOÀNG MINH
TS. TRẦN VŨ HOÀNG

Trắc nghiệm:

2

1. Dòng điện trong chất bán dẫn là dòng tham gia của:

a)

Các điện tử (electron) tự do.

b) Các lỗ trống (hole).
c)

Các ion âm.

d) Các điện tử tự do và lỗ trống
2. Tại nhiệt độ phòng, lỗ trống trong chất bán dẫn tạp chất dạng n là:
a)

Hạt tải thiểu số được tạo ra từ nhiêt độ.

b) Hạt tải thiểu số mà được tạo ra từ nguyên tố tạp chất
c)

Hạt tải đa số được tạo ra từ nhiệt độ.

d) Hạt tải đa số mà được tạo ra từ nguyên tố tạp chất

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Trắc nghiệm:

3

3. Vùng nghèo (tiếp xúc) trong chuyển tiếp p-n gồm

a)

Các hạt tải thiểu số

b) Các hạt tải đa số
c)

Chỉ có ion dương và âm

d) Tất cả đều đúng
4. Trong mạch hình 1, đây là mạch:
a)

Mạch xén

b) Mạch kẹp
c)

Chỉnh lưu bán kỳ

d) Mạch chỉnh lưu toàn kỳ

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Trắc nghiệm:

4

5. Trong mạch hình 1 với D1 và D2 là loại Si, thì điện áp ra trung bình trên RL (VODC) là

a)

19.4V

b) 13.6V
c)

38.8V

d) 27.6V
6. Trong mạch hình 1, dòng trung bình qua mỗi diode là
a)

58.8mA

b) 29.4mA
c)

41.2mA

d) 20.6mA

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Trắc nghiệm:

5

7. Trong mạch hình 1 với D1 và D2 là loại Si, thì điện áp ra trung bình trên RL (VODC) là
a)

15V

b) 14.3V
c)

12V

d) 11.3V

8. Trong BJT loại pnp, thì để transistor dẫn ở vùng khuếch đại thì các chuyển tiếp:
a)

BE phải được phân cực thuận và BC phải bị phân cực nghịch

b) BE phải bị phân cực nghịch và mối nối BC phải được phân cực thuận
c)

BE và BC phải bị phân cực nghịch

d) BE và BC phải được phân cực thuận
www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Trắc nghiệm:

6

9. Để một E-MOSFET kênh n dẫn điện thì điện áp VGS phải
a)

Nhỏ hơn Vth (threshold voltage)

b) Lớn hơn Vth (threshold voltage)

c)

Nhỏ hơn Vp

d) Lớn hơn Vp
10. Trong hình 3, ký hiệu nào là của Diac:

a)

D1

b)

D2

c)

D3

d)

D4

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Trắc nghiệm:

7

11. BJT loại npn, khi hoạt động tại vùng khuếch đại thì

a) IC =0 và VCE = Vcc
b)

IC = ICsat và VCE ≅0

c) IC = βIB và 0 VCE VCC
d)

IC = βIB và 0 VCE

12. Cho mạch như hình 4, hãy cho biết V1 tối thiểu bằng bao nhiêu để mạch ổn áp?
a)

3.3V

b) 3.96V
c)

6.6V

d) Tất cả đều sai

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Trắc nghiệm:

8

13. SCR không th
...

...
âu

a

b

c
X

X

13

9

X

14

10

X

15

www.hcmute.edu.vn/

d

X
X

Câu

b

c

16

X

17

X

18
19

X

a

20

d

X
X
X

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Tự luận

17

Câu 21 (2đ): Cho mạch như hình 7, biết nguồn Vi=10sin120πt(V).

a) Tìm điện áp ngưỡng của Vi để diode dẫn. (Đáp án: Vi  2,7V)
b) Hãy giải thích, tìm và vẽ sóng ra Vo.
(Đáp án:
Khi Vi  2,7V: Diode dẫn Vo=Vi-2,7V
Khi Vi 2,7V: Diode không dẫn Vo=0 V)

c) Nếu gắn thêm 1 điện trở R2=1kΩ song song với R1 thì ngưỡng dẫn diode có thay đổi không, nếu có hãy vẽ lại

sóng ra. (Đáp án: Ngưỡng điện áp diode không thay đổi, điều kiện diode dẫn: Vi  2,7V)

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Tự luận

18

Câu 22 (2đ): Cho mạch như hình 8, biết transistor Q1 có ???????????????? = 5???????? ????à ???????? = −3???? .

a. Vẽ sơ đồ tương đương DC và tìm điểm làm việc tĩnh Q của transistor Q1 (Đáp án: Q(4,36V 1,41mA))
b. Viết phương trình và vẽ đồ thị đường tải DCLL của Q1 ( Đáp án: ID = - 0,25 VDS +2,5 (mA))
c. Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ. Tính Zi và AV của mạch. (Zi=1M Av= -2,65)

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng

Tự luận

19

Câu 23 (3đ): Cho mạch khuếch đại như hình 9. Biết rằng, transistor Q1 có β1=150
a)

Tìm điểm làm việc tĩnh Q của transistor Q1. (Đáp án: Q (7,24V 0,78 mA)
1
???? +4,71 (mA) maxswing (vop)=1,47V))
1,89 ????????

b) Viết phương trình đường tải ACLL và tim maxswing(vop). (ic =c)

Vẽ sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ và tính Zi, Zo, Avs. (ZI =2,25k ZO =5,1k Avs =-39,7)

d) Vẽ sóng điện áp tại cực C của Q1 và Vo, nếu V1=0.2sin2000πt(V).
e) Hãy tính lại R1 để điểm làm việc Q của transistor Q1 nằm chính giữa đường tải ACLL. (Q(2,84V 1,5mA)
R1=20.5k)

www.hcmute.edu.vn/

TS. Lê Hoàng Minh
TS. Trần Vũ Hoàng